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姜勇: 新型磁电子材料与器件研究进展
发布日期:2019-05-29  字号:   【打印

报告时间:2019年6月3日(星期一)15:00

报告地点:材料楼601会议室

  :姜勇 教授

工作单位:北京科技大学材料学院

举办单位:材料科学与工程学院 电子科学与应用物理学院

报告人简介

姜勇,北京科技大学教授、博士生导师、国家杰出青年基金获得者、教育部长江学者奖励计划特聘教授、教育部创新团队负责人、北京市弱磁检测与应用工程技术研究中心主任、北京市弱磁检测与应用技术国际合作基地负责人。2017年7月至今挂职太原科技大学副校长。还担任《Scientific Reports》,《Journal of Materials Science & Technology》,《Nanosciences and Nanotechnologies: An International Journal 》、《Rare Metals》、《材料科学与工艺》、《金属功能材料》、《稀有金属》、《中国材料进展》等期刊编委、《太原科技大学学报》执行主编、美国电气与电子工程学会(IEEE)高级会员、中国仪表功能材料分会副理事长、中国材料研究学会常务理事、中国电子学会应用磁学分会委员会委员、中国稀土学会固体科学与新材料专业委员会委员、中国金属学会功能材料分会委员会委员、中国物理学会磁学专业委员会委员等。至今在Nature Materials、Nature Nanotechnology、Nature communications等国内外学术期刊上发表论文255篇,文章被SCI他引3000余次;发表英文专著(章节)3本;在国际会议做特邀报告18篇次;申请发明专利18项,获得授权11项。主要的创新性工作集中在自旋电子材料与器件的研究方面,在自旋转矩方面的研究结果被至少10部外文专著正面引用。该结果还被收录到2005年度的《国际半导体技术蓝图》(即ITRS) 中。

报告简介

自旋电子学起源于上个世纪80年代在固态器件中观察到的自旋相关输运行为。从Albert Fert和Peter Grünberg两位科学家相互独立的在金属磁性多层膜中发现巨磁电阻(GMR)效应开始,GMR以及后来发现的隧穿磁电阻(TMR)效应引起了人们的普遍关注。室温下表现出GMR的自旋阀和表现出TMR的磁性隧道结也先后被广泛应用在计算机硬盘的读出磁头中,带来硬盘存储密度的飞速提高。因此,Albert Fert 和Peter Grünberg一起获得2007年的诺贝尔物理学奖。

传统的自旋阀或磁性隧道结器件中的磁性薄膜通常为面内磁各向异性。如果采用垂直磁各向异性薄膜,会大幅度提高器件的热稳定性和翻转速度,且能有效降低自旋转矩诱导磁化翻转的临界电流密度。我们在全Heusler合金薄膜的垂直磁各向异性研究方面开展了多年的研究工作。近年来,我们还在FePt薄膜垂直磁各向异性的电场调控、垂直磁各向异性Mn1.5Ga薄膜/重金属结构中的磁电阻效应、自旋霍尔效应、自旋轨道矩等方面进行了研究。

(罗来马/文)  
编辑:徐小红
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