郑松林: 晶界对辐照点缺陷的吸收强度计算
发布日期:2019-05-28
 

报告时间:2019年5月30日(星期四)15:30

报告地点:斛兵楼210会议室

  :郑松林 助理研究员

工作单位:中国工程物理研究院流体物理研究所

举办单位:工业与装备技术研究院

报告人简介

郑松林,中国工程物理研究院流体物理研究所助理研究员。2010年和2016年分别获得中国科学技术大学理论与应用力学学士学位和固体力学博士学位。研究方向为材料微结构演化的理论与数值模拟,主要包括相场位错动力学、核材料辐照效应,研究成果发表在International Journal of Plasticity、npj Computational Materials、Journal of Physics D: Applied Physics等期刊上。

报告简介

晶界能够有效吸收辐照引起的点缺陷,从而能够避免因点缺陷累积而造成的材料肿胀、脆化与蠕变等辐照损伤现象。抗辐照材料设计相关的界面工程需要发展长时间的连续模型来评估晶界对于点缺陷的吸收强度。然而在现有的相关连续模型中,组成晶界的位错都被假设成静态的理想吸收阱,即位错处的点缺陷浓度被固定为常值。这些假设忽略了晶界位错-点缺陷的短程相互作用以及辐照所致晶界演化,从而导致点缺陷的吸收行为仅由点缺陷扩散机制控制。由此,本研究在拓展位错相场模型来描述小角度对称倾斜晶界的基础上,利用最近发展的位错攀移相场模型来模拟倾斜晶界对于点缺陷的吸收行为,从而能够揭示点缺陷扩散机制与位错-点缺陷反应机制共同控制的点缺陷吸收过程。与理想吸收阱模型比较,位错攀移模型的模拟结果显示位错的攀移运动引起的晶界蠕变会促进晶界对点缺陷的吸收能力。

 
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